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核心技术制约我国IGBT产业化进程
发布时间:2025-07-05 07:42:05  来源:未来医药研发有限公司

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或者通过掺杂、技术改变层间堆叠角、构建异质结等来调节层间的耦合作用。因此,制约该工作以化学组成和晶体结构相对简单的范德华化合物CuP2Se为模型,研究高压对其结构、光学和电输运等性质的影响及机理。

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图六、核心化进超导转变温度随压力变化的BCS理论模型化(a)CuP2Se在费米能级处的电子态密度和体弹模量随压力的变化图;(b)BCS方程中两项参数随压力的变化图;(c)实验和BCS方程拟合的超导转变温度对比图

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